功率晶体管是随着近几年移动通信系统对基站功率放大器和手机功率放大器的性能要求提高逐渐发展起来的新型射频功率器件。具有工作性能高、寄生电容小、易于集成等特点。特别适合在集成电路中作功率器件。接下来，详细为你说下“功率晶体管的反偏安全工作区很大,如何应用”

一、功率晶体管的反偏安全工作区很大,如何应用

第一个区是放大区，它体现了基级电流对集电极-发射极间电流的控制能力，也就是Ic=βIb，工作条件是：集电结反偏，发射结正偏；这个区主要用于对小信号的放大，也是模电研究最多的区域。

第二个区是饱和区，它体现的是三极管导通状态下（除满足放大状态外）的工作形态，判断的条件是：集电结正偏或者零偏，发射结正偏；也可以用Ic<βIb来作辅助判断，工程上对于小功率管，还有UCE<1作为辅助判断的标准。如果处于深度饱和，则UCE可以小到0.3V左右。这个区中，Ic通常比放大状态要大，同时随着Ic上升，β会先增加后减少。

第三个区是截止区，它体现的是三极管在关断状态下的工作形态，判断的条件是：发射结反偏。需要注意的是：处于截止区时，并不是意味着CE之间完全没有电流，可能存在极微小的电流（uA级水平），这里也会引出一个问题，即晶体管要彻底关断是比较困难的，很多时候开启反而比关断要简单。 第二、三个区可以同时利用，合成三极管的开关状态，用于数字逻辑器件。

第四个区一般在模电书中不提，而在电力电子中会提及，即击穿区，主要是指三极管在超越极限参数（Icm，Pcm，Ubr(CEO)等等） 时的工作状态，这时候三极管的工作状态不稳定或者已经损坏应用于开关电源等的器件功率晶体管是随着近几年移动通信系统对基站功率放大器和手机功率放大器的性能要求提高逐渐发展起来的新型射频功率器件。具有工作性能高、寄生电容小、易于集成等特点。特别适合在集成电路中作功率器件。